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          SiT1532
          特性和優勢
          1、芯片級 (CSP) 的極小基底面:1.5 mm x 0.8 mm
          2、NanoDrive 降低了振蕩器輸出擺幅
          3、無負載或者 VDD 濾波電容
          4、超低功耗:900 nA(典型值)
          5、可在低至 1.2 V 的輸入電壓下工作
          6、在 -40 °C 至 +85 °C 溫度范圍內小于 100 ppm 的頻率穩定性S
          產品參數
          • 頻率范圍
            32.768KHz
          • 頻差
            ±75PPM ±100PPM ±250PPM
          • 老化
          • 溫度范圍
            -10℃~70℃ -40℃~+85℃
          • 負載/電壓
            1.2V~3.63V
          • 體積
            1.5x0.8mm(1508)
          產品詳情 產品腳位
          iT1532可在1.5V -3.63V 電壓范圍穩定工作,支持鋰電、超級電容等供電設備供電。 內置濾波電路,無需額外的Vdd旁路電容。 SIT1532輸出驅動能力強,無需額外負載電容,在智能儀表,可穿戴產品乃至基礎性時鐘產品領域具備廣泛的應用前景。

          SiT1532是目前世界上體積超小,功耗超低并優化了手機和其他電池供電的32KHz振蕩器。 SiTime的MEMS技術使它有超小的1.5x0.8CSP芯片級封裝,超越石英超小封裝XTALs。SiT15xx系列以多種方式克服了基于石英器件的限制,電路板占位面積減小了85%,功耗降低了50%,可靠性提高了15倍,所有這些都有助于實現體積更小、功耗更低和更耐用的移動電子產品。
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