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SIT1552
特性和優勢
1、溫度范圍內 ±5 ppm 的頻率穩定性
2、芯片級 (CSP) 的極小基底面:1.5 mm x 0.8 mm
3、超低功耗:990 nA(典型值)
4、NanoDrive 降低了振蕩器輸出擺幅
5、內部 VDD 電源濾波
6、節省板空間
7、更大限度提高電池壽命
8、可編程輸出擺幅,更大限度減少功耗
9、消除了外部 VDD 旁路電容器,從而保持超小型基底面
10、降低手機和可穿戴設備對網絡計時更新的依賴
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產品參數
頻率范圍
32.768KHz
頻差
±5PPM ±10PPM ±20PPM
老化
溫度范圍
-20℃~70℃ -40℃~+85℃
負載/電壓
1.5V~3.63V
體積
1.5x0.8mm(1508)
產品詳情
產品腳位
SiT1552是一款超小型和超低功耗的32.768kHz溫補晶振,優化電池供電的應用。SiTime的硅MEMS技術使第一個32kHzTCXO能夠用于擁有世界上超小的占位面積和芯片級封裝(CSP)。典型的核心供電電流僅為1μA。而不像標準的振蕩器,SiT1552具備NanoDrive特性,工廠可編程輸出,減少了電壓擺幅將功耗降到更低。SiT1552經過工廠校準多個溫度點,以保證在整個溫度范圍極其嚴格的頻率穩定度,穩定的選擇范圍為±5ppm到±20ppm。
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