SiTime融合MEMS技術和混合信號設計的振蕩器SiT1576

SiTime融合MEMS技術和混合信號設計的產品SiT1576

作者：揚興晶振日期：2018-12-12 瀏覽量：

SiTime的TempFlat MEMS?技術和混合信號設計專業知識使得1.2mm2芯片規模封裝中的第一臺功率TCXO成為可能——這是世界上最小的封裝。典型的核心電源電流在100kHz時只有6.0μA。與標準振蕩器不同，SiT1576超級TCXO是在1Hz和2.5MHz之間工廠可編程的。這種獨特的，超小型的TCXO以其廣泛的頻率范圍實現了新的體系結構選項。SiT1576是在多個溫度點上工廠校準的，以保證非常緊密的頻率穩定性，低至±5ppm(初始溫度及過溫度)。

頻率：1Hz至2.5MHz

頻率穩定性(ppm)：±5,±20

工作溫度范圍(°C)：-20至+70，-40至+85

振蕩器類型：Hz-MHz TCXO型振蕩器

輸出類型：LVCMOS

包類型(mm)：1.5x0.8

特色：低抖動

電壓(V)：1.62至3.63

SIT1576特色與效益

工廠可編程頻率：1Hz至2.5MHz

針對低功耗架構方案進行優化

超低功率：33kHz時4.5A(典型)，100kHz時6.0A(典型)。

使電池壽命最大化

芯片規模(CSP)的最小占地面積：1.5×0.8mm

節省板空間

±5ppm全包含頻率穩定性

改進的本地計時和改進的系統能力，減少對移動和可穿戴設備的網絡計時更新的依賴

內部VDD電源濾波

消除外部VDD旁路電容器，保持超小占地面積

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SiTime融合MEMS技術和混合信號設計的產品SiT1576

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