
晶體本身原因:晶片碎裂、寄生、DLD不良、阻抗過大、頻率不良、晶體牽引力不足或過大。
電路原因:其他元件不良、負載電容或電路設計或加工造成的雜散電容離散度大、晶體兩端電壓不足、電路靜態工作點有問題。
那么在工作電路中,晶振損壞會有哪些特征現象呢?
徹底停振:如果晶振停振,對手機而言可能無法正常開機,就像心臟突然停止跳動,以該晶振為時鐘信號的電路都會停頓罷工。
具有不穩定性:引起不穩定性的原因有很多,可能是晶振質量問題,更多原因則是晶振參數與電路參數不相匹配,例如系統要求精度20ppm,而晶振參數只有50ppm;再或者匹配電容要求12PF,而實際電容只有9PF諸多原因。
1、徹底損壞
徹底損壞時,可將其拆下,與正常同型號集成電路對比測其每一引腳對地的正、反向電阻,總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常。
2、晶振不穩定的解決辦法
有許多工程師在工作中都遇到過,晶振在板上,一會兒起振,一會兒不起振,或用電吹風吹一下又可以正常工作等問題。
遇到這種不穩定情況,不能簡單的更換器件完事,應該從多方面分析,找出問題的真正所在。
a. 由于晶振在剪腳和焊錫的時候容易産生機械應力和熱應力,而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體,容易導致晶體處于臨界狀態,以至出現時振時不振現象,甚至停振。
b. 在焊錫時,當錫絲透過線路板上小孔滲過,導致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過程中,基座上引腳的錫點和外殼相連接發生單漏,都會造成短路,從而引起停振。
c. 當晶體頻率發生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過多時,以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導致芯片不起振。
d. 由于芯片本身的厚度很薄,當激勵功率過大時,會使內部石英芯片破損,導致停振。
e. 在檢漏工序中,就是在酒精加壓的環境下,晶體容易產生碰殼現象,即振動時芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發生時振時不振或停振。
f. 在壓封時,晶體內部要求抽真空充氮氣,如果發生壓封不良,即晶體的密封性不好時,在酒精加壓的條件下,其表現為漏氣,稱之為雙漏,也會導致停振。
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