
1、保證鍍膜室和微調室的真空度,鍍膜前最好進行離子轟擊清洗。鍍膜過程中,晶片的溫度,濺射的速度均對電極質量有影響。
2、鍍膜前后,上架點膠后,微稠后都應進行高溫烘烤,以消除應力的影響,烘烤老化最好在可抽真空充氮氣的烘箱里進行。
3、為防止電極氧化,晶振殼內部應充高純氮氣。
4、要保證晶片的光潔度和清潔度,包括其邊緣的光潔度,要對晶片進行多遍仔細清洗,對諧振件和外殼也要清洗。
5、應采用深腐蝕工藝,確保破壞層被全部清除。
6、適當減薄電極膜的厚度,保證鍍膜公差,盡量減小微調量。
7、封裝時要保證晶振的低漏氣率和高密封性。
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